产品介绍与应用

半导体

我们的半导体材料是智能时代互联互通的基础，专为极致性能而设计。

互连互通的智能技术、下一代半导体芯片以及印刷电路板是6G、增强现实与虚拟现实、物联网和自动驾驶领域中的关键变量，而这正是盈骅能够提供支持的领域。我们期望我们的创新能助力您塑造半导体产业的未来。

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IC封装材料

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TG
产品概述
应用领域
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H-870G

180℃

IC封装载板用高TG白色覆铜板/半固化片

COB、LED、CMOS等

IC封装载板用高TG白色覆铜板/半固化片

COB、LED、CMOS等

无卤素，Tg180℃（DMA）

高白度、高反射率

优异的耐黄变性能

厚度均匀性控制技术

适用无铅制程

优异的尺寸稳定性

低膨胀和优异的通孔可靠性

特性	项目		测试方法	测试条件	单位	典型值
热性能	玻璃化转变温度		2.4.24	DMA	℃	180
	X,Y-CTE		2.4.24.5	TMA	ppm/℃	11～14
	Z axis-CTE		2.4.24	TMA，TG前	ppm/℃	48
				TMA，TG后	ppm/℃	202
				50～260℃	%	2.6
	288℃分层时间		2.4.24.1	Clad	min	＞60
	288℃分层时间		2.4.24.1	Etched	min	＞60
	288℃热冲击		2.6.8	288℃，solder dip	S	＞300
	热失重(weight loss 5%) Decomposition temperature		2.4.24.6	TGA	℃	380
电性能	体积电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ-cm	＞10^8
电性能	表面电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ	＞10^8
物理性能	白度		GB2911982	内部标准	%	88
	反光率		GJB 5023.1-2003	内部标准	%	90
	弯曲强度	经向纬向	2.4.4	A	MPa	490 460
	杨氏模量		JB/T 6544-1993	A	GPa	21
	剥离强度（Hoz铜箔）		2.4.8	288℃/10s	lb/inch	5.7
	阻燃等级		UL94	UL94	/	HB
	CTI		IEC-112	IEC-112	level	0
	吸水率		2.6.2.1	D-24/23	%	0.13

Y-201TSR

200℃

IC封装载板用高TG白色覆铜板/半固化片

小间距/Mini/MicroLED、封装载板、摄像机等

IC封装载板用高TG白色覆铜板/半固化片

小间距/Mini/MicroLED、封装载板、摄像机等

无卤素，Tg200℃ ( DMA)

高白度、高反射率

优异的耐黄变性能

厚度均匀性控制技术

适用无铅制程

优异的尺寸稳定性

低膨胀和优异的通孔可靠性

特性	项目		测试方法	测试条件	单位	典型值
热性能	玻璃化转变温度		2.4.24.4	DMA	℃	200
	X,Y轴方向膨胀系数		2.4.24.5	TMA	ppm/℃	10 ~12
	Z轴方向膨胀系数		2.4.24	TMA，Before TG	ppm/℃	48
				TMA，After TG	ppm/℃	202
				50 ~ 260℃	%	2.6
				Etched	min	＞60
	288℃热冲击 Thermal stress		2.6.8	288℃ ，solder dip	S	＞300
	热失重(weight loss 5%)		2.4.24.6	TGA	℃	380
电性能	体积电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ-cm	＞10^8
	表面电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ	＞10^8
	Dk(RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	/	5.6
	Df (RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	/	0.018
物理性能	白度		GB2911982	Internal standard	%	90
	反光率		GJB 5023. 1-2003	Internal standard	%	92.5
	弯曲强度	LW CW	2.4.4	A	MPa	560 530
	弯曲模量		JB/T 6544- 1993	A	GPa	26
	杨氏模量		JB/T 6544- 1993	A	GPa	23
	剥离强度		2.4.8	288℃/10s	lb/inch	5.7
	漏电起痕指数		IEC 112	IEC 112	级别	0
	热导率		ASTM-D5470	C-96/35/90	W/(m*k)	0.7
	耐离子迁移性		---	85℃/85%/50V	Hours	>1000
	吸水率		2.6.2.1	D-24/23	%	0. 13

Y-206BSM

185℃

IC封装载板用高TG黑色覆铜板/半固化片

Substrates for CSP、BGA、FC-PKG 等

IC封装载板用高TG黑色覆铜板/半固化片

Substrates for CSP、BGA、FC-PKG 等

低膨胀、低收缩，有效降低 IC封装基板翘曲

高模量(高弹性率)

优异的耐热性

无卤、高 Tg 185C

黑色和良好的光遮蔽性能

优异的厚度均匀性

特性	项目	测试方法	测试项目	单位	典型值
热性能	玻璃化转变温度	2.4.24.4	DMA	℃	185
	X,Y-CTE	2.4.24.5	TMA	ppm/℃	10~ 12
	Z axis-CTE	2.4.24	TMA，TG前	ppm/℃	35
			TMA，TG后	ppm/℃	195
			50 ~ 260℃	%	2.2
	T288	2.4.24.1	Clad	min	＞60
	T288	2.4.24.1	Etched	min	＞60
	热应力	2.6.8	288℃，焊料浸渍	S	＞300
	分解温度	2.4.24.6	TGA	℃	380
电性能	体积电阻率	2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ-cm	＞10^10
电性能	表面电阻率	2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ	＞10^10

电性能	Dk(RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	/	5.0
电性能	Df(RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	/	0.019
物理性能	红光透过率		/	内部标准	%	0
	弯曲强调	经向纬向	2.4.4	A	MPa	560 510
	弯曲模量		JB/T 6544- 1993	A	GPa	29
	杨氏模量			A	GPa	29
	剥离强度（Hoz铜箔）		2.4.8	288℃/10s	lb/inch	5.1
	热导率		ASTM-D5470	C-96/35/90	W/(m*k)	0.76
	吸水率		2.6.2.1	D-24/23	%	0.13

Y-206BSR

200℃

IC封装载板用高TG黑色覆铜板/半固化片

CSP、BGA 、 FC- PKG 等封装用基板

IC封装载板用高TG黑色覆铜板/半固化片

CSP、BGA 、 FC- PKG 等封装用基板

无卤，Tg200℃ ( DMA)

低膨胀、低收缩

高模量(高弹性率)

黑色和良好的光遮蔽性能

优异的耐热性

优异的尺寸稳定性

优异的厚度均匀性

特性	项目	测试方法	测试条件	单位	典型值
热性能	玻璃化转变温度	2.4.24.4	DMA	℃	200
	X,Y轴方向膨胀系数	2.4.24.5	TMA	ppm/℃	9 ~12
	Z轴方向膨胀系数	2.4.24	TMA，Before TG	ppm/℃	28
			TMA，After TG	ppm/℃	198
			50 ~ 260℃	%	2.0
	288℃分层时间	2.4.24.1	Clad	min	＞60
	288℃分层时间	2.4.24.1	Etched	min	＞60
	288℃热冲击	2.6.8	288℃ ，solder dip	S	＞300
	热失重(weight loss 5%)	2.4.24.6	TGA	℃	385
电性能	体积电阻	2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ-cm	＞10^8
电性能	表面电阻	2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ	＞10^8

	Dk(RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	/	4.7
	Df(RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	/	0.020
物理性能	红光透过性		/	Internal standard	%	0
	弯曲强度	LW CW	2.4.4	A	MPa	590 520
	弯曲模量		JB/T 6544- 1993	A	GPa	29
	杨氏模量		GB/T 22315-2008	A	GPa	28
	剥离强度		2.4.8	288℃/10s	lb/inch	5.0
	热导率		ASTM-D5470	C-96/35/90	W/(m*k)	0.78
	吸水率		2.6.2.1	D-24/23	%	0.13

Y-207HS

230℃

IC封装载板用高TG、高模量黑色覆铜板/半固化片

CSP、 BGA、FC- PKG 等封装用基板。

IC封装载板用高TG、高模量黑色覆铜板/半固化片

CSP、 BGA、FC- PKG 等封装用基板。

低膨胀、低收缩，有效降低 IC封装基板翘曲

高模量(高弹性率)

优异的耐热性

无卤、高 Tg230C

优异的厚度均匀性

特性	项目		测试方法	测试条件	单位	Y-207HS Typical value (E-glass fabric)
热性能	玻璃化转变温度		2.4.24.4	DMA	℃	230
	玻璃化转变温度		2.4.24.5	TMA	℃	210
	X,Y轴方向膨胀系数		2.4.24.5	＜Tg	ppm/℃	10~ 12
	X,Y轴方向膨胀系数		2.4.24.5	＞Tg	ppm/℃	4 ~ 7
	288℃分层时间		2.4.24.1	Etched	min	＞60
	288℃热冲击		2.6.8	288℃ ，solder dip	S	＞300
	热失重(weight loss 5%)		2.4.24.6	TGA	℃	405
电性能	体积电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ-cm	＞108
	表面电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ	＞108
	Dk(RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	-	4.5
	Df(RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	-	0.008
	弯曲强度	LW CW	2.4.4	A	MPa	500 460
	弯曲模量		JB/T 6544- 1993	A	GPa	30

物理性能	杨氏模量	GB/T2015-91	A	GPa	28
	剥离强度	2.4.8	288℃/10s	lb/inch	5.8
	热导率	ASTM-D5470	C-96/35/90	W/(m*k)	0.68
	吸水率	2.6.2.1	D-24/23	%	0. 1
	阻燃等级	UL94	UL94	-	V-0

Y-208HS

260℃

IC封装载板用高TG、高模量黑色覆铜板/半固化片

CSP、 BGA、FC- PKG 等封装用基板。

IC封装载板用高TG、高模量黑色覆铜板/半固化片

CSP、 BGA、FC- PKG 等封装用基板。

低膨胀、低收缩，有效降低 IC封装基板翘曲

高模量(高弹性率)

优异的耐热性

无卤、高 Tg260C

优异的厚度均匀性

特性	项目		测试方法	测试条件	单位	典型值
特性	项目		测试方法	测试条件	单位	Y-208HS (E-glass)	Y-208HS （L&LC） (T-glass)
热性能	玻璃化转变温度		2.4.24.4	DMA	℃	260	260
	玻璃化转变温度		2.4.24.5	TMA	℃	230	230
	X,Y轴方向膨胀系数		2.4.24.5	＜Tg	ppm/℃	9	6
	X,Y轴方向膨胀系数		2.4.24.5	＞Tg	ppm/℃	3	3
	288℃分层时间		2.4.24.1	Etched	min	＞60	＞60
	288℃热冲击		2.6.8	288℃ ，solder dip	S	＞300	＞300
	热失重(weight loss 5%)		2.4.24.6	TGA	℃	398	400
电性能	体积电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ-cm	＞108	＞10^8
	表面电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ	＞108	＞10^8
	Dk(RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	-	4.3	4.3
	Df(RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	-	0.008	0.008
物理性能	弯曲强度	经向纬向	2.4.4	A	MPa	520 480	550 500
物理性能	弯曲模量		JB/T 6544- 1993	A	GPa	30	33
物理性能	杨氏模量		GB/T2015-91	A	GPa	29	31
	剥离强度		2.4.8	288℃/10s	lb/inch	5.5	5.5
	热导率		ASTM-D5470	C-96/35/90	W/(m*k)	0.68	0.70
	吸水率		2.6.2.1	D-24/23	%	0. 08	0.08
	阻燃等级		UL94	UL94	-	V-0	V-0

Y-209HS

300℃

IC封装载板用超低CTE覆铜板/半固化片

Substrates for CSP 、SIP、BGA、FC- PKG etc

IC封装载板用超低CTE覆铜板/半固化片

Substrates for CSP 、SIP、BGA、FC- PKG etc

超低膨胀、低收缩，有效降低 IC 封装基板翘曲

高模量(高弹性率)

无卤、高Tg300C

优异的厚度均匀性

优异的耐热性

特性	项目		测试方法	测试条件	单位	典型值
特性	项目		测试方法	测试条件	单位	Y-209HS E-glass	Y-209HS （L&LC） T-glass
热性能	玻璃化转变温度		2.4.24.4	DMA	℃	300	310
	玻璃化转变温度		2.4.24.5	TMA	℃	270	280
	X,Y轴方向膨胀系数 X,Y-CTE		2.4.24.5	＜Tg	ppm/℃	5	3
	X,Y轴方向膨胀系数 X,Y-CTE		2.4.24.5	＞Tg	ppm/℃	3	2
	288℃分层时间		2.4.24.1	Etched	min	＞60	＞60
	288℃热冲击		2.6.8	288℃，solderdip	S	＞300	＞300
	热失重(weight loss 5%)		2.4.24.6	TGA	℃	398	405
电性能	体积电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ-cm	＞108	＞108
	表面电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ	＞108	＞108
	Dk(RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	-	4.3	4.3
	Df(RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	-	0.008	0.007
物理性	弯曲强度	LW CW	2.4.4	A	MPa	520 500	520 500
物理性	弯曲模量		JB/T6544-1993	A	GPa	32	34

物理性能	杨氏模量	GB/T2015-91	A	GPa	30	32
	剥离强度	2.4.8	288℃/10s	lb/inch	5.0	5.0
	热导率	ASTM-D5470	C-96/35/90	W/(m*k)	0.69	0.70
	吸水率	2.6.2.1	D-24/23	%	0.06	0.06
	阻燃等级	UL94	UL94	-	V-0	V-0

Y-303HS

260℃

IC封装载板用超低损耗覆铜板/半固化片

SLP、SIP、AIP、CSP、FC-PKG等基板。

IC封装载板用超低损耗覆铜板/半固化片

SLP、SIP、AIP、CSP、FC-PKG等基板。

低膨胀、低收缩，有效降低IC封装基板翘曲

高模量(高弹性率)

优异的耐热性

无卤、高Tg260℃

优异的厚度均匀性

low Dk和Low Df特性

特性	项目		测试方法	测试条件	单位	典型值
特性	项目		测试方法	测试条件	单位	Y-303HS (E-glass)	Y-303HS（LD） (NE-glass)
热性能	玻璃化转变温度		2.4.24.4	DMA	℃	260
	玻璃化转变温度		2.4.24.5	TMA	℃	230
	X,Y轴方向膨胀系数		2.4.24.5	＜Tg	ppm/℃	8~10	8~10
	X,Y轴方向膨胀系数		2.4.24.5	＞Tg	ppm/℃	3	3
	288℃分层时间		2.4.24.1	Etched	min	＞60	＞60
	288℃热冲击		2.6.8	288℃，solder dip	S	＞300	＞300
	热失重(weight loss 5%)		2.4.24.6	TGA	℃	398	398
电性能	体积电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ-cm	＞10^8	＞10^8
	表面电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ	＞10^8	＞10^8
	Dk（RC50%70%）		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	-	3.8/3.3	3.4/3.2
	Dk（RC50%70%）		2.5.5.9	10GHz;C-24/23/50		3.6/3.2	3.2/3.0
	Df（RC50%70%）		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	-	0.004/0.003	0.002/0.002
	Df（RC50%70%）		2.5.5.9	10GHz;C-24/23/50		0.005/0.004	0.003/0.003
物理性能	弯曲强度	径向纬向	2.4.4	A	MPa	520 480	520 480
	弯曲模量		JB/T 6544-1993	A	GPa	22~25	22~25
	杨氏模量		GB/T 2015-91	A	GPa	23	23
	剥离强度		2.4.8	288℃/10s	lb/inch	3.0	3.0
	热导率		ASTM-D5470	C-96/35/90	W/(m*k)	0.7	0.7
	吸水率		2.6.2.1	D-24/23	%	0.04	0.04

Y-201TS

185℃

IC封装载板用高TG白色覆铜板/半固化片

小间距/Mini/MicroLED、封装载板、摄像机等

IC封装载板用高TG白色覆铜板/半固化片

小间距/Mini/MicroLED、封装载板、摄像机等

无卤素，Tg185℃ ( DMA)

高白度、高反射率

优异的耐黄变性能

厚度均匀性控制技术

适用无铅制程

优异的尺寸稳定性

低膨胀和优异的通孔可靠性

特性	项目		测试方法	测试条件	单位	典型值
热性能	玻璃化转变温度		2.4.24.4	DMA	℃	185
	X,Y轴方向膨胀系数		2.4.24.5	TMA	ppm/℃	10 ~12
	Z轴方向膨胀系数		2.4.24	TMA，Before TG	ppm/℃	48
				TMA，After TG	ppm/℃	202
				50 ~ 260℃	%	2.6
				Etched	min	＞60
	288℃热冲击		2.6.8	288℃ ，solder dip	S	＞300
	热失重(weight loss 5%)		2.4.24.6	TGA	℃	380
电性能	体积电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ-cm	＞10^8
	表面电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ	＞10^8
	Dk(RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	/	5.6
	Df (RC50%)		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	/	0.018
物理性能	白度		GB2911982	Internal standard	%	90
	反光率		GJB 5023. 1-2003	Internal standard	%	92.5
	弯曲强度	经向纬向	2.4.4	A	MPa	560 530
	弯曲模量		JB/T 6544- 1993	A	GPa	26
	杨氏模量		JB/T 6544- 1993	A	GPa	23
	剥离强度		2.4.8	288℃/10s	lb/inch	5.7
	阻燃等级		UL94	UL94	/	HB
	漏电起痕指数		IEC 112	IEC 112	级别	0
	热导率		ASTM-D5470	C-96/35/90	W/(m*k)	0.7
	耐离子迁移性		---	85℃/85%/50V	Hours	>1000
	吸水率		2.6.2.1	D-24/23	%	0. 13

封装载板用增层膜材料

相关产品
TG
产品概述
应用领域
更多内容

HBF-G92

170℃

IC封装用增层膜

FC-PKG、ECP、HDI、SLP、ECP 等

IC封装用增层膜

FC-PKG、ECP、HDI、SLP、ECP 等

低弹性模量

优异的耐热性

无卤，Hi-Tg

优异的厚度均匀性

优良的树脂流动性和填充性

材料			HBF-G92 (PET / RCC)
X- CTE	30~150℃		30~40
X- CTE	150~240℃		110~130
Y- CTE	30~150℃		30~40
Y- CTE	150~240℃		110~130
Dk	1 G Hz		3.2
Df	1 G Hz		0.016
Tg	TMA		155.0
Tg	DMA		170.0
Young's modulus	Room temp.	G Pa	10.8
Tensile strength	Room temp.	MPa	120~140
Peel strength	Ra<0.30 um Rz<2.0 um	12um	0.6~0.8
Elongation	Room temp.	%	2.0
Water Absorption	(PCT-2hrs/121°C)	wt%	0.35
B-HAST 30um thickness	（130°C/85%/5.5V)	Hours	>200
B-HAST L/S 30/20um	（130°C/85%/5.5V)	Hours	>200

HBF-X01

170℃

IC封装用低CTE、高模量增层膜

FC-PKG、ECP、HDI、SLP、SIP等

IC封装用低CTE、高模量增层膜

FC-PKG、ECP、HDI、SLP、SIP等

低膨胀、低收缩性

低弹性模量

优异的耐热性

无卤

优异的厚度均匀性

优良的树脂流动性和填充性

材料			HBF-X01 (PET / RCC)
X- CTE	30~150℃		30
X- CTE	150~240℃		80
Y- CTE	30~150℃		30
Y- CTE	150~240℃		80
Dk	1 G Hz		3.4
Df	1 G Hz		0.0110
Tg	TMA		155.0
Tg	DMA		170.0
Young's modulus	Room temp.	G Pa	10.8
Tensile strength	Room temp.	MPa	120~140
Peel strength	Ra<0.30 um Rz<2.0 um	12um	0.6~0.8
Elongation	Room temp.	%	2.0
Water Absorption	(PCT-2hrs/121°C)	wt%	0.35
B-HAST 30um thickness	（130°C/85%/5.5V)	Hours	>200
B-HAST L/S 30/20um	（130°C/85%/5.5V)	Hours	>200

HBF-Z01

190℃

IC封装用低CTE、高模量增层膜

FC-PKG、ECP、HDI、SLP、SIP等

IC封装用低CTE、高模量增层膜

FC-PKG、ECP、HDI、SLP、SIP等

低膨胀、低收缩性

低弹性模量

优异的耐热性

无卤

优异的厚度均匀性

优良的树脂流动性和填充性

材料			HBF-Z01 (PET / RCC)
X- CTE	30~150℃		20
X- CTE	150~240℃		65
Y- CTE	30~150℃		20
Y- CTE	150~240℃		65
Dk	1 G Hz		3.3
Df	1 G Hz		0.0065
Tg	TMA		175.0
Tg	DMA		190.0
Young's modulus	Room temp.	G Pa	10.8
Tensile strength	Room temp.	MPa	120~140
Peel strength	Ra<0.30 um Rz<2.0 um	12um	0.6~0.8
Elongation	Room temp.	%	2.0
Water Absorption	(PCT-2hrs/121°C)	wt%	0.35
B-HAST 30um thickness	（130°C/85%/5.5V)	Hours	>200
B-HAST L/S 30/20um	（130°C/85%/5.5V)	Hours	>200

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无卤素，高透光率

高机械强度

优异的机械加工性能

特性	项目		测试方法	测试条件	单位	典型值
热性能	玻璃化转变温度		2.4.24.4	DSC	℃	140
	热失重(weight loss 5%)		2.4.24.6	TGA	℃	390
	X,Y轴方向膨胀系数		2.4.24.5	TMA	ppm/℃	15～17
	Z轴方向膨胀系数		2.4.24	TMA，Before TG	ppm/℃	51
				TMA，After TG	ppm/℃	298
				50～260℃	%	4.2
	288℃热冲击		2.6.8	288℃，solder dip	s	＞300
物理性能	透光率		GB/T 2410-2008	A Thickness:0.10mm	%	86
	透光率		GB/T 2410-2008	180℃/30min； Thickness:0.10mm	%	85
	卤素含量氯溴氯+溴		2.2.41	A	ppm	＜900 ＜900 ＜1500
	弯曲强度	LW CW	2.4.4	A	MPa	480 430
	弯曲模量		JB/T 6544-1993	A	GPa	22
	吸水率		2.6.2.1	D-24/23	%	0.17
电性能	体积电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ-cm	＞10^8
	表面电阻		2.5.17.1	C-96/35/90	MΩ	＞10^8
	Dk（RC50%）		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	/	4.1
	Df（RC50%）		2.5.5.9	1GHz;C-24/23/50	/	0.023

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